STMicroelectronics et TSMC collaborent afin d’accélérer l’adoption par le marché des produits à base de nitrure de ga...
February 20 2020 - 4:00AM
STMicroelectronics et TSMC collaborent afin d’accélérer l’adoption
par le marché des produits à base de nitrure de gallium (GaN)
- Cette collaboration accélèrera le développement et le lancement
sur le marché de solutions de puissance avancées en GaN.
- Elle s’appuie sur l’expertise de ST sur le marché de
l’automobile et le leadership de TSMC en tant que fondeur de
semiconducteurs.
- Elle permettra d’améliorer l’efficacité en large bande pour un
meilleur rendement énergétique des applications de conversion de
puissance.
Genève (Suisse) et Hsinchu (Taiwan - République
de Chine), le 20 février 2020 - STMicroelectronics (NYSE :
STM), un leader mondial des semiconducteurs dont les clients
couvrent toute la gamme des applications électroniques, et TSMC
(TWSE : 2330 et NYSE : TSM), le plus grand fondeur de
semiconducteurs au monde, annoncent leur collaboration en vue
d'accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de
gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de
circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché. Dans le cadre
de cette collaboration, les produits innovants et stratégiques
conçus par ST en nitrure de gallium seront fabriqués en utilisant
le procédé technologique avancé en GaN de TSMC.
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau
semiconducteur à large bande (WBG — Wide Band Gap) qui apporte aux
applications de puissance des avantages considérables par rapport
aux semiconducteurs traditionnels à base de silicium. Parmi ces
avantages figure notamment une efficacité énergétique supérieure à
des niveaux de puissance plus élevés, avec à la clé, une réduction
substantielle des pertes d’énergie parasites. La technologie GaN
permet également de concevoir des dispositifs plus compacts pour
des formats plus flexibles. De plus, les circuits en GaN commutent
à des vitesses jusqu’à 10 fois supérieures à celles des
composants en silicium tout en pouvant fonctionner à des pics de
température plus élevés. Grâce à ses caractéristiques robustes et
intrinsèques, le nitrure de gallium dispose de solides atouts pour
s’imposer à grande échelle dans les secteurs en pleine évolution de
l’automobile, de l’industriel et des télécommunications, ainsi que
dans certaines applications d’électronique grand public dans des
gammes de tension (clusters) de 100 V et 650 V.
Spécifiquement, les produits réalisés dans les
technologies GaN et GaN de puissance permettront à ST de fournir
des solutions pour applications de puissance moyenne et élevée qui
afficheront un rendement énergétique supérieur aux technologies en
silicium basées sur les mêmes topologies, parmi lesquelles les
convertisseurs pour l’automobile et les chargeurs pour véhicules
électriques et hybrides. Les technologies de puissance et circuits
intégrés en GaN contribueront à accélérer la tendance majeure que
constitue l’électrification des véhicules particuliers et
commerciaux.
« En tant que leader à la fois dans les
technologies microélectroniques large bande et les semiconducteurs
de puissance destinés aux marchés exigeants de l’automobile et de
l’industriel, ST a identifié une importante opportunité en
accélérant le développement et la livraison du procédé
technologique en GaN et en mettant sur le marché des produits de
puissance et des circuits intégrés en nitrure de gallium. TSMC est
un partenaire de confiance qui dispose des moyens de fonderie
uniques pour répondre aux exigences en matière de fiabilité et de
feuille de route des clients ciblés par ST », a déclaré Marco
Monti, Président, Groupe Produits Automobiles et Discrets,
STMicroelectronics. « Cette coopération complète nos activités
existantes dans le domaine du nitrure de gallium pour applications
de puissance menées sur notre site de Tours et avec le CEA-Leti. Le
GaN représente la prochaine innovation majeure pour l’électronique
de puissance et l’électronique de puissance intelligente, ainsi que
pour le domaine des procédés technologiques. »
« Nous nous réjouissons de collaborer avec
ST et de mettre les applications de puissance en GaN au service de
la conversion de puissance pour l’automobile et
l’industriel », a ajouté Dr. Kevin Zhang, Vice-Président en
charge du Business Development, TSMC. « L’expertise avancée
des procédés de fabrication en GaN de TSMC, conjuguée aux capacités
de conception de produits et de qualification pour l’automobile de
STMicroelectronics, apportera d’importantes améliorations en
matière d’efficacité énergétique aux applications de conversion de
puissance pour l’automobile et l’industriel qui sont davantage
respectueuses de l’environnement et contribuent à accélérer
l’électrification des véhicules. »
ST prévoit de livrer les premiers échantillons
des composants de puissance discrets en GaN à ses principaux
clients plus tard dans l’année, et quelques mois après, des
circuits intégrés en GaN.
À propos de STMicroelectronics
ST, un leader mondial sur le marché des
semiconducteurs, fournit des produits et des solutions intelligents
qui consomment peu d’énergie et sont au cœur de l’électronique que
chacun utilise au quotidien. Les produits de ST sont présents
partout, et avec nos clients, nous contribuons à rendre la conduite
automobile, les usines, les villes et les habitations plus
intelligentes et à développer les nouvelles générations d’appareils
mobiles et de l’Internet des objets.
Par l’utilisation croissante de la technologie
qui permet de mieux profiter de la vie, ST est synonyme de
« life.augmented ».
En 2019, ST a réalisé un chiffre d’affaires net
de 9,56 milliards de dollars auprès de plus 100 000 clients à
travers le monde. Des informations complémentaires sont disponibles
sur le site : www.st.com.
À propos de TSMC
Au moment de sa création en 1987, TSMC est le
pionnier du modèle industriel que représentent les fonderies
« pure play ». Depuis, la société s’est imposée comme le
plus grand fondeur de semiconducteurs au monde. TSMC supporte un
écosystème florissant de clients et de partenaires aux quatre coins
du monde grâce à un procédé technologique de pointe et à un
portefeuille de solutions d’aide à la conception qui favorisent
l’innovation dans l’industrie mondiale des semiconducteurs.
TSMC assure à ses clients une capacité annuelle
d’environ 13 millions de tranches équivalentes 12 pouces
(300 mm) en 2020, et fournit la plus large gamme de
technologies, de 2 microns jusqu’aux filières de fonderie les
plus avancées, aujourd’hui de 7 nanomètres (nm). TSMC est le
premier fondeur à proposer des capacités de gravure en 7 nm,
et également le premier à commercialiser la technologie de
lithographie par rayonnement ultraviolet extrême (EUV) et à livrer
les produits de ses clients en grand volume au marché. Le siège
social de TSMC est situé à Hsinchu (Taiwan). Pour plus
d’informations sur TSMC, veuillez consulter le site
www.tsmc.com.
Contacts STMicroelectronicsRelations avec les
investisseursCéline BerthierTél :
+41.22.929.58.12celine.berthier@st.com
Relations PresseNelly DimeyTél :
01.58.07.77.85Mobile : 06.75.00.73.39nelly.dimey@st.com
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DepartmentTel: 886-3-5636688 ext.7125036Mobile:
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Michael KramerPR DepartmentTel: 886-3-5636688 ext.7125031Mobile:
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- Collaboration ST-TSMC GaN -FINAL POUR PUBLICATION
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